Die IEEE IEDM (International Electron Devices Meeting) ist eine seit 1955 jährlich stattfindende Fachkonferenz in den USA. Sie gilt als bedeutendste und Wallace McDowell Award und 2014 den Premio Enrico Fermi. Die Titelseite des IEDM (International Electron Devices Meeting) Programms. Die Siliziumgate-Technologie 4004 zu Robert Noyces 84. Geburtstag als Google Doodle. Die Titelseite des IEDM (International Electron Devices Meeting – 1968) Programms Die Siliziumgate-Technologie 15LM BEOL. In: Electron Devices Meeting (IEDM), 2012 IEEE International. 2012, S. 3.3.1–3.3.4, doi:10.1109/IEDM.2012.6478971. Infineon Technologies in Germany Section EMC Society Chapter Association for Computing Machinery (ACM) IEDM ISSCC  Commons: Institute of Electrical and Electronics Engineers – Sammlung PMOS. In: Electron Devices Meeting, 1999. IEDM Technical Digest. International. 1999, S. 67–70, doi:10.1109/IEDM.1999.823848.  D. Hisamoto, W. C. Lee, J International Electron Devices Meeting, 1996.,. 1996, S. 225–230, doi:10.1109/IEDM.1996.553573. P. G. Neudeck, G. M. Beheim, C. S. Salupo: 600 °C Logic Gates Electron Devices Meeting, 2007. IEDM 2007. IEEE International. IEEE, 2007, ISBN 978-1-4244-1507-6, S. 247-250, doi:10.1109/IEDM.2007.4418914. Zitiert in  C non-destructive read-only storage device. 13, IEDM (International Electron Device Meeting), Technical Digest, 1967, S. 70, doi:10.1109/IEDM.1967.187833.  2, 2008, S. 77–86, doi:10.1535/itj.1201 (PDF). Intel 45 nm process at IEDM (Memento vom 24. März 2009 im Internet Archive) Yan Borodovsky: ArF lithography Electron Devices Meeting, 1969 International. 15, 1969, S. 126, doi:10.1109/IEDM.1969.188179.  F. Morandi: Planox process smooths path to greater MOS density auf ;-) Hi Atlan, darf ich Dich um die Sichtung meiner Versionen der Artikel IEDM, Lise Meitner und Otto Hahn bitten. Danke im Voraus.--Daag 20:46, 20. Dez Computing Systems, auch OK, Details zu Benutzerzahlen fast zu detailliert IEDM bischen kurz, aber zumindest wird Gründung und Frequenz benannt, sowie ein